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资料编号:272447
 
资料名称:BC856BDW1T1D
 
文件大小: 106.29K
   
说明
 
介绍:
Dual General Purpose Transistors
 
 


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leshan 收音机 公司, 有限公司.
bc856b–1/5
1
3
2
双 概述 目的 晶体管
pnp duals
这些 晶体管 是 设计 用于 概述 目的 放大器
应用程序. 他们 是 已安置 入点 这 sot–363/sc–88 哪个 是
设计 用于 低 电源 表面 安装 应用程序.
最大值 额定值
评级 符号 BC856 BC857 BC858 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
collector–base 电压 v
CBO
emitter–base 电压 v
EBO
–5.0 –5.0 –5.0 v
收集器 电流
-
连续
c
–100 –100 –100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 p
d
380 mw
按 设备 250 mw
fr– 5 板, (1) t
一个
= 25°c
降额 以上 25°c 3.0 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
328 °c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150 °C
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
订购 信息
设备 包装 装运
BC856BDW1T1 SOT–363 3000 单位/卷轴
BC857BDW1T1 SOT–363 3000 单位/卷轴
BC857CDW1T1 SOT–363 3000 单位/卷轴
BC858BDW1T1 SOT–363 3000 单位/卷轴
BC858CDW1T1 SOT–363 3000 单位/卷轴
1
3
2
6
4
5
请参见 表
q
1
q
2
6
4
5
sot–363/sc–88
案例 419b 风格 1
BC856BDW1T1
BC857BDW1T1
BC857CDW1T1
BC858BDW1T1
BC858CDW1T1
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