特点
TrenchFET
发电机 二 电源 场效应晶体管
100% 右
g
已测试
应用程序
高侧 直流/直流 换算
−
笔记本
−
台式机
−
服务器
笔记本 逻辑 直流/直流, 低侧
Si4346DY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72958
s-41793—rev.b, 04-oct-04
www.vishay.com
1
n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品 摘要
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(一个) q
g
(典型值)
0.023 @ v
gs
= 10 v 8
30
0.025 @ v
gs
= 4.5 v 7.5
6530
0.030 @ v
gs
= 3.0 v 6.8
6.5
0.036 @ v
gs
= 2.5 v 6.0
所以-8
sd
sd
sd
gd
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4
1
订购 信息: Si4346DY—E3
si4346dy-t1—e3( 与 胶带 和 卷轴)
n通道 场效应晶体管
g
d
s
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
30
v
栅极-源极 v旧 v
gs
12
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
8 5.9
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
6.5 4.7
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
2.2 1.20
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.5 1.31
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.6 0.84
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热 电阻 额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
43 50
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
74 95
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
22 27
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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