特性
TrenchFET
电源 mosfets
快 切换 速
低 门 承担
产品
直流-直流 逻辑 水平的
低 电压 和 电池 powered
产品
Si4810BDY
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72229
s-31063—rev. 一个, 26-将-03
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
场效应晶体管 产品 summary
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.0135 @ v
GS
= 10 v 10
30
0.020 @ v
GS
= 4.5 v 8
肖特基 产品 summary
V
DS
(v)
二极管 向前 电压
V
SD
(v)
I
F
(一个)
30 0.53 v @ 3.0 一个 3.8
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
n-频道 场效应晶体管
G
S
D
肖特基 二极管
订货 信息:
Si4810BDY
si4810bdy-t1 (和 tape 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 秒 稳步的 状态 单位
流-源 voltage (场效应晶体管)
V
DS
30
反转 电压 (肖特基)
V
DS
30
V
门-源 电压 (场效应晶体管) V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c) (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
10
7.5
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c) (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
8 6
搏动 流 电流 (场效应晶体管) I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
一个
I
S
2.3 1.25
一个
平均 foward 电流 (肖特基) I
F
3.8 2.4
搏动 foward 电流 (肖特基) I
FM
40
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 25
C 2.5 1.38
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.88
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.31
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
= 70
C 1.3 0.84
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 设备 标识 典型 最大 单位
最大 接合面 至 包围的 (t
10 秒)
一个
场效应晶体管 36 50
最大 接合面-至-包围的 (t
10 秒)
一个
肖特基
R
44 60
M i J 德州仪器 t 一个 bi t (t t d t t )
一个
场效应晶体管
R
thJA
73 90
c/w
最大 接合面-至-包围的 (t = 稳步的 状态)
一个
肖特基 77 95
c/w
M i J 德州仪器 t F t (t t d t t )
一个
场效应晶体管
R
17 21
最大 接合面-至-foot (t = 稳步的 状态)
一个
肖特基
R
thJF
24 30
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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