Si4463BDY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 72789
s-40433—rev.一个, 15-3月-04
www.vishay.com
1
p沟道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
0.011 @ v
gs
=
−
10 v
−
13.7
−
20
0.014 @ v
gs
=
−
4.5 v
−
12.3
0.020 @ v
gs
=
−
2.5 v
−
10.3
sd
s
d
sd
g
d
所以-8
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3
4
1
s
g
d
p沟道 场效应晶体管
订购 信息: si4463bdy—e3 (铅 免费)
si4463bdy-t1—e3 (铅免费 与 胶带 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
−
20
v
栅极-源极 电压 v
gs
12
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
−
13.7
−
9.8
连续dra入点current
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
−
11.1
−
7.9
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
−
50
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
−
2.7
−
1.36
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
3.0 1.5
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.9 0.95
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
35 42
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
70 84
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
17 21
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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