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资料编号：305619

资料名称：Si4946EY-T1

文件大小： 44.53K

说明：


介绍:
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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Si4946EY vishay siliconix 文件号码: 70157 s-03950—rev. d, 26-将-03 www.vishay.com 2-1 双 n通道 60-v (d-s), 175  c 场效应晶体管产品摘要 v ds (v) 右 ds(开启) (  ) 我 d (一个) 60 0.055 @ v gs = 10 v 4.5 60 0.075 @ v gs = 4.5 v 3.9 s 1 d 1 g 1 d 1 s 2 d 2 g 2 d 2 所以-8 5 6 7 8 顶部查看 2 3 4 1 d g s n通道场效应晶体管订购信息: Si4946EY si4946ey-t1 (与 t猿和卷轴) 绝对最大值额定值 (t 一个 = 25  c 除非否则已注明) 参数符号限制单位漏源电压 v ds 60 v 栅极-源极电压 v gs  20 v 连续排水管电流 (t j = 175  c) 一个 t 一个 = 25  c 我 d 4.5 连续排水管电流 (t j = 175  c) 一个 t 一个 = 70  c 我 d 3.8 一个脉冲排水管电流我 dm 30 一个连续来源电流 (二极管传导) 一个我 s 2 最大值电源耗散一个 t 一个 = 25  c p d 2.4 w最大值电源耗散一个 t 一个 = 70  c p d 1.7 w 操作接合点和存储温度范围 t j , t stg -55 至 175  c 热电阻额定值参数符号限制单位最大值交叉点到环境一个右 thja 62.5  c/w 备注一个. 表面已安装开启 fr4 板, t  10 秒.

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