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mrf21045lr3 mrf21045lsr3
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计用于 w-cdma 底座 车站 应用程序 与频率 从 2110
至 2170 mhz. 适合 用于 tdma, cdma和 多载波 放大器 应用程序-
区域. 至 是 已使用 入点 类 ab fo右 pcn - pcs/ce?llul一个右 右一个d我o 一个nd wll
应用程序.
•
典型 2-承运人 w-cdma 业绩 用于 v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 500 ma,
f1 = 2135 mhz, f2 = 2145 mhz, 频道 带宽 = 3.84 mhz,
相邻 频道 已测量 结束 3.84 mhz 带宽 在 f1-5 mhz
和 f2 +5 mhz, 失真 产品 已测量 结束 一个 3.84 mhz 带宽
在 f1-10 mhz 和 f2 +10 mhz, 峰值/平均值. = 8.3 db @ 0.01% 概率
开启 ccdf.
输出 电源 — 10 瓦特 平均值.
效率 — 23.5%
增益 — 15 db
im3 —-37.5 dbc
acpr —-41 dbc
•
内部 匹配, 受控 q, 用于 轻松 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性度
•
综合 esd 保护
•
设计 用于 最大值 增益 和 插入 相位 平整度
•
有能力 的 搬运 5:1 vswr, @ 28 vdc, 2170 mhz, 45 瓦特 cw
输出 电源
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联, 40
µ″
标称值.
•
入点 胶带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 按 32 mm, 13 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
65 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
-0.5, +15 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
105
0.60
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
esd 保护 特性
测试一下 条件 类
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 m2 (最小值)
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
1.65
°
c/w
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf21045/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF21045LR3
MRF21045LSR3
2170 mhz, 45 w, 28 v
横向 n-频道
rf 电源 mosfets
案例 465e-04, 风格 1
ni-400
MRF21045LR3
案例 465f-04, 风格 1
ni-400S
MRF21045LSR3
摩托罗拉, 公司 2004
rev. 9
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飞思卡尔 半导体, 公司
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