rf 字符ISTIcs (瓦特 输出 )300
概述de字词
硅 vdmos 和 ldmos
晶体管 设计 具体而言
用于 宽带 rf 应用程序阳离子.
适合用于 军事 收音机,
细胞 和 分页 放大器 底座
车站, 广播 调频/上午, mri,
激光 直接还原铁ver 和 others.
pa帐篷edGOLd 我talized
300瓦特 Gemini
包装 style? ar
h高efficiency, 线性,
AB溶质 最大值 额定值 (tc = 25 c)
o
合计
dev我ce
六月c操作 至
casether《仲裁示范法》
最大值
六月c操作
存储
te温度
直流 drain
铜rrent
drain 至
闸门
drain 至
来源
闸门 至
来源
500 瓦特 0.35
c
o
200 -65 至 150
36 一个
30v
vv70 70
电子ical 字符ISTIcs (每个 side)
symbol p一个右AMETER 最小 TYp m斧头 单位 测试一下 条件
symbol p一个右AMETER 最小 TYp m斧头 单位 测试一下 条件
Gps
η
VSWR
通信开启 酸味ce采购订单wer 增益
draine?fficiency
荷载mismatch 公差
db
%
关系ve
12
60
4
20:1
idq =
idq =
idq =
4
4
一个,
一个,
一个,
28.0Vds= v,
28.0Vds= v,
28.0Vds= v,
f = 100 mhz
f = 100 mhz
f = 100 mhz
Bvdss
idss
igss
Vgs
通用汽车
rd儿子
idsat
ciss
crss
一氧化碳ss
drain breakdown voltage
零 bias 排水管 电流
闸门 泄漏铜rrent
闸门 bias f或d右心房入点 铜rrent
fo右ward transconductance
饱和度resistance
饱和度铜rrent
通信开启 酸味ce输入 电容ce
通信开启 酸味ce反馈capacitance
通信开启 酸味ce 输出电容ce
65
12
1
71
7
0.1
50
400
40
240
mho
哦m
放大器
pf
v
v
pf
pf
m一个
ua
0.2ids = 一个,
Vgs= 0v
28.0Vds= v, Vgs= 0v
Vds= 0v, Vgs= 30v
0.6ids = 一个, Vgs= vds
Vds= 10v, Vgs= 5v
Vgs= 20v, ids = 20
Vgs= 20v, Vds= 10v
28.0Vds= v, vgs= 0v,f = 1mhz
一个
28.0Vds= v, vgs= 0v,f = 1mhz
28.0Vds= v, vgs= 0v,f = 1mhz
poly铁t 右f 开发人员ices
1110avenida acaso,camarillo, c一个 93012 te?l:(805) 484-4210 f斧头:(805) 484-3393em一个il:销售s@polyfet.一氧化碳m url:www.polyfet.一氧化碳m
修订
silicon 闸门 增强功能 模式
rf 电源
h高 g一个入点, 低 噪声
"保利铁t" 流程 特点
黄金 金属 用于 大y 扩展
李铁时间. 低 输出 电容
和 高 f enhance 宽带
performance
t
tm
c
o
c
o
c/w
o
F3002
polyfet rf 设备
dissipation res我s棕褐色ce te温度 voltage voltage voltage
1/12/98
VDmos transistor
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