FlipFET
电源 场效应晶体管
IRF6156
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描述
真 芯片级 包装 是 可用 从 国际 recti-
fier. 通过 这 使用 的 高级 加工 技术 和 一个
独一无二 包装 概念, 极其 低 导通电阻 和 这
最高 电源 密度 入点 这 行业 有 被 制造 可用
用于 蓄电池 和 荷载 管理 应用程序. 这些 好处,
合并 与 这 加固 设备 设计 那 国际
整流器 是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个
极其 高效 和 可靠 设备.
这
包装, 是 5分之1 这 占地面积 的 一个 可比
tssop-8 包装 和 有 一个 配置文件 的 较少 比 .8mm. com-
组合 与 这 低 热 电阻 的 这 模具 水平 设备, 这个
使 这
这 最好 设备 用于 应用程序 在哪里
已打印 电路 板 空间 是 在 一个 保费 和 入点 极其 薄
应用程序 环境 这样的 作为 蓄电池 空调组件, 移动电话 电话
和 pcmcia 卡片.
超 低
右
ss(开启)
按 占地面积 面积
低
热 电阻
双向 n通道 开关
超级 低 配置文件 (&指示灯;.8mm)
可用 已测试 开启 胶带 &放大器; 卷轴
esd 保护 二极管
v
ss
右
ss(开启)
最大值 我
s
20V
40m
:
@V
gs1,2
= 4.5v
±6.5
60m
:
@V
gs1,2
= 2.5v
±5.2
绝对 最大值 额定值
参数 单位
v
ss
来源-至-来源 电压 v
我
s
@ t
一个
= 25°c 连续 电流, v
GS1
= v
GS2
= 4.5v
e?
我
s
@ t
一个
= 70°c 连续 电流, v
GS1
= v
GS2
= 4.5v
e?
一个
我
sm
脉冲 电流
c
p
d
@T
一个
= 25°c
电源 耗散
e?
w
p
d
@T
一个
= 70°c
电源 耗散
e?
线性 降额 因素 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 v
t
j
操作 接合点 和 °C
t
stg
存储 温度 范围
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
e?
––– 50 °c/w
右
θ
j-pcb
接合点-至-pcb 35 –––
2.5
20
最大值
±6.5
±5.2
33
20
±12
1.6
-55 至 + 150
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