HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRF6100
参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -20 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v ±5.1
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 4.5v ±3.5 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
±35
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
2.2
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散
1.4
线性 降额 因素 17 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大值 额定值
w
www.irf.com 1
真 芯片级 包装 是 可用 从 国际
整流器. 通过 这 使用 的 高级 加工 技术-
niques, 和 一个 独一无二 包装 概念, 极其 低
导通电阻 和 这 最高 电源 密度 入点 这
行业 有 被 制造 可用 用于 蓄电池 和 荷载
管理 应用程序. 这些 好处, 合并 与
这 加固 设备 设计 , 那 国际 整流器
是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 ex-
tremely 高效 和 可靠 设备.
这 flipfet
™
包装, 是 3分之1 这 占地面积 的 一个
可比 sot-23 包装 和 有 一个 配置文件 的 较少
比 .8mm. 合并 与 这 低 热 电阻 的
这 模具 水平 设备, 这个 使 这 flipfet
™
这 最好
设备 用于 应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间 是
在 一个 保费 和 入点 极其 薄 应用程序 环境-
部分 这样的 作为 蓄电池 空调组件, 细胞 电话 和 pcmcia
卡片.
描述
超 低
右
ds(开启)
按 占地面积 面积
低
热 电阻
p沟道 场效应晶体管
3分之1 占地面积 的 sot-23
超级 低 配置文件 (&指示灯;.8mm)
可用 已测试 开启 胶带 &放大器; 卷轴
FlipFET
ISOMETRIC
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
56.5 °c/w
右
θ
j-pcb
接合点-至-pcb 已安装 35 –––
热 电阻
5/2/05
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
-20v
0.065
Ω
@V
gs
= -4.5v -5.1a
0.095
Ω
@V
gs
= -2.5v -4.1a
s
d
g
pd - 93930e
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