HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRF6150
参数 最大值 单位
v
ss
来源- 来源 电压 -20 v
我
s
@ t
c
= 25°c 连续 电流, v
GS1
= v
GS2
= -4.5v ±7.9
我
s
@ t
c
= 70°c 连续 电流, v
GS1
= v
GS2
= -4.5v ±6.3 一个
我
sm
脉冲 电流
±40
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 3.0
p
d
@T
c
= 70°c 电源 耗散 1.9
线性 降额 因素 24 mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 12 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
真 芯片级 包装 是 可用 从 国际
整流器. 通过 这 使用 的 高级 加工 技术-
niques 和 一个 独一无二 包装 概念, 极其 低
导通电阻 和 这 最高 电源 密度 入点 这
行业 有 被 制造 可用 用于 蓄电池 和 荷载
管理 应用程序. 这些 好处, 合并 与
这 加固 设备 设计 那 国际 整流器
是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 ex-
tremely 高效 和 可靠 设备.
这
包装, 是 3分之1 这 占地面积 的 一个
可比 所以-8 包装 和 有 一个 配置文件 的 较少 比
.8mm. 合并 与 这 低 热 电阻 的 这
模具 水平 设备, 这个 使 这
这 最好 设备
用于 应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间 是 在 一个
保费 和 入点 极其 薄 应用程序 环境
这样的 作为 蓄电池 空调组件, 细胞 电话 和 pcmcia 卡片.
描述
超 低
右
ss(开启)
按 占地面积 面积
低
热 电阻
双向 p沟道 开关
超级 低 配置文件 (&指示灯;.8mm)
可用 已测试 开启 胶带 &放大器; 卷轴
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
42 °c/w
右
θ
j-pcb
接合点-至-pcb 已安装 17 –––
热 电阻
v
ss
右
ss(开启)
最大值 我
s
-20v
0.036
Ω
@V
gs1,2
= -4.5v -7.9a
0.052
Ω
@V
gs1,2
= -2.5v -6.3a
6
*
6
*
: 点此下载
