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04/22/04
IRF6218
smps 场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
注释
通过
是 在 页 7
重置 转变 为 起作用的 clamp
重置 直流-直流 转换器
益处
产品
低 门 至 流 承担 至 减少
切换 losses
全部地 典型 电容 包含
有效的 c
OSS
至 使简化 设计 (看
app. 便条 an1001)
全部地 典型 avalanche 电压
和 电流
至-220ab
S
D
G
V
DSS
R
ds(在)
最大值 I
D
-150v
150m
:
@V
GS
= -10v
-27a
绝对 最大 比率
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
DM
搏动 流 电流
c
P
D
@T
C
= 25°c
最大 电源 消耗
W
直线的 减额 因素 w/°c
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
h
v/ns
T
J
运行 接合面 和 °C
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
g
––– 0.61 °c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
g
0.50 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的
g
––– 62
1.6
250
最大值
-27
-19
-110
-150
± 20
300 (1.6mm 从 情况 )
10 lbf•in (1.1n•m)
8.2
-55 至 + 175