IRF630
IRF630FP
n - 频道 200V - 0.35
Ω
- 9A - 至-220/fp
MESH 覆盖
场效应晶体管
■
典型 右
ds(开启)
= 0.35
Ω
■
极其 高 设计验证/dt 能力
■
很 低 内在的 电容
■
闸门 费用 最小化
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 设计 使用 他
company’s consolidated 压条 布局-基于 MESH
覆盖
流程. 这个 技术 火柴
和 改进 这 演出 比较 与
标准 零件 从 各种 来源.
应用程序
■
高 电流 开关
■
不间断 电源 供应 (ups)
■
直流/直流 COVERTERS 用于 电信,
工业, 和 照明 设备.
内部 原理图 图表
二月 1999
至-220 至-220fp
1
2
3
1
2
3
绝对 最大值 额定值
symbol parameter value? 联合国它
IRF630 IRF630Fp
v
ds
排水管-来源 电压 (v
gs
= 0) 200 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
Ω
) 200 v
v
gs
g吃了-来源 电压年龄
±
20 v
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
=25
o
c 9 9(**) 一个
我
d
排水管 电流 (连续) 在 t
c
=100
o
c5.75.7(**)一个
我
dm
(
•
) 排水管 current (脉冲) 36 36 一个
p
tot
t奥塔尔 dissipat离子 在 t
c
=25
o
C7525W
der正在处理 因素 0.6 0.20 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 recovery v旧 坡度 5 5 v/ns
v
iso
绝缘 承受 电压 (直流)
2000 v
t
stg
存储 温度e? -65 至 150
o
c
t
j
最大值 操作正在处理 j功能 透射电镜佩雷特ure 150
o
c
(
•
) 脉冲 宽度 有限 由 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
≤
9a, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
(br)dss
,tj
≤
t
jmax
第一 数字 的 这 Datecode 正在 z 或 k 标识 silicon 表征 入点 这个 数据表
(**) 有限 仅 由 最大值 温度 允许
类型 v
DSS
右
ds(开启)
我
d
IRF630
IRF630Fp
200 v
200 v
&指示灯;0.40
Ω
&指示灯;0.40
Ω
9A
9A
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