1/9july 2001
IRF634
IRF634FP
n-频道 250v - 0.38
Ω
- 8a 至-220/至-220fp
mesh overlay™ 场效应晶体管
■
典型 r
DS
(在) = 0.38
Ω
■
极其 高 dv/dt 能力
■
100% avalanche 测试
描述
使用 这 最新的 高 电压 mesh overlay
™
处理, 意法半导体 有 设计 一个 ad-
vanced 家族 的 电源 mosfets 和 优秀的
效能. 这 新 专利的 strip 布局 cou-
pled 和 这 公司’s 专卖的 边缘 termina-
tion 结构, 制造 它 合适的 在 coverters 为
lighting 产品.
产品
■
高 电流, 高 速 切换
■
swith 模式 电源 供应 (smps)
■
直流-直流 转换器 为 电信,
工业的, 和 lighting 设备
■
完美的 为 监控’s b+ 函数
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
IRF634
IRF634FP
250 v
250 v
< 0.45
Ω
< 0.45
Ω
8 一个
8 一个
标识 参数 值 单位
IRF634 IRF634FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
250 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
250 V
V
GS
门- 源 电压
± 20 V
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 25°c
8 8(*) 一个
I
D
流 电流 (continuos) 在 t
C
= 100°c
5 5(*) 一个
I
DM
(
●
)
流 电流 (搏动) 32 32(*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
80 30 W
减额 因素 0.64 0.24 w/°c
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 5 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流) - 2000 V
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
(1) i
SD
≤
8a, di/dt
≤
300 一个/
µ
s, v
DD
≤
V
(br)dss
, tj
≤
T
jMAX
(*)限制 仅有的 用 最大 温度 允许
内部的 图式 图解
至-220
1
2
3
1
2
3
至-220fp
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