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资料编号:315986
 
资料名称:IRF630S
 
文件大小: 97.84K
   
说明
 
介绍:
N-channel TrenchMOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF630S
n - 频道 200V - 0.35
-9a-d
2
PAK
MESH 覆盖
场效应晶体管
典型
ds(开启)
= 0.35
极其 设计验证/dt 能力
100% 雪崩 已测试
内在的 电容
闸门 费用 最小化
用于 通孔 版本 联系人
销售 办公室
描述
这个 电源 场效应晶体管 设计 使用
company’s consolidated 压条 布局-基于 MESH
覆盖
流程. 这个 技术 火柴
改进 演出 比较
标准 零件 各种 来源.
应用程序
电流 开关
不间断 电源 供应 (ups)
直流/直流 COVERTERS 用于 电信,
工业, 照明 设备.
内部 原理图 图表
12月 1998
绝对 最大值 额定值
symbol parameter value? 联合国
v
ds
排水管-source? 电压 (v
gs
= 0) 200 v
v
DGR
排水管- 闸门 电压 (右
gs
=20k
) 200 v
v
gs
g吃了-来源 电压年龄
±
20 v
d
排水管 current (c连续不断) t
c
=25
o
C9A
d
排水管 current (c连续不断) t
c
=100
o
c5.7a
dm
(
) 排水管 电流 (脉冲) 36 一个
p
tot
t奥塔尔 Dissipat离子 t
c
=25
o
C70W
derating fac托尔 0.56 w/
o
c
设计验证/dt(
1
) 峰值 二极管 回收 v 坡度 5 v/ns
t
stg
存储 温度 -65 150
o
c
t
j
最大值 操作正在处理 j功能 透射电镜温度 150
o
c
(
) pulse 宽度 有限 安全 操作 面积 (
1
)我
sd
9a, di/dt
300 一个/
µ
s, v
dd
v
(br)dss
,tj
t
jmax
类型 v
DSS
ds(开启)
d
IRF630S 200 v &指示灯; 0.40
9A
1
3
d
2
PAK
至-263
(后缀 ”t4”)
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