IRF634_集成电路资料查询网

IRF634A
BV
DSS
=  250 v
右
ds(开启)
=  0.45
Ω
我
d
=  8.1 一个
250
8.1
5.1
32
±
30
205
8.1
7.4
4.8
74
0.59
- 55  至  +150
300
1.69
--
62.5
--
0.5
--
♦
雪崩  坚固耐用  技术
♦
坚固耐用  闸门  氧化物  技术
♦
下部  输入  电容
♦
改进  闸门  费用
♦
扩展  安全  操作  面积
♦
下部  泄漏  电流: 10
µ
一个 (最大值.)  @  v
ds
= 250v
♦
下部  右
ds(开启)
: 0.327
Ω
(典型值.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
热  电阻
连接至壳体
案例-至-水槽
交叉点到环境
右
θ
jc
右
θ
cs
右
θ
ja
°
c/w
特性 最大值 UnitsSymbol 典型值
特点
绝对  最大值  额定值
漏源 电压
连续  排水管  电流  (t
c
=25
°
c)
连续  排水管  电流  (t
c
=100
°
c)
排水管  电流-脉冲
(1)
栅极到源极  电压
单独  脉冲  雪崩  能源
(2)
雪崩  电流
(1)
重复性  雪崩  能源
(1)
峰值  二极管  回收  设计验证/dt
(3)
合计  电源  耗散  (t
c
=25
°
c)
线性  降额  因素
操作  接合点  和
存储  温度  范围
最大值  铅  温度  用于  焊接
目的,  1/8
从  案例  用于  5-秒
特性 值 UnitsSymbol
我
dm
v
gs
e?
作为
我
ar
e?
ar
设计验证/dt
我
d
p
d
t
j
, t
stg
t
l
一个
v
mJ
一个
mJ
v/ns
w
w/
°
c
一个
°
c
v
DSS
v
至-220
1.闸门  2. 排水管  3. 来源
3
2
1
©1999 仙童 半导体 公司
rev. b

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IRF634A BV DSS = 250 v 右 ds(开启) = 0.45 Ω 我 d = 8.1 一个 250 8.1 5.1 32 ± 30 205 8.1 7.4 4.8 74 0.59 - 55 至 +150 300 1.69 -- 62.5 -- 0.5 -- ♦ 雪崩坚固耐用技术 ♦ 坚固耐用闸门氧化物技术 ♦ 下部输入电容 ♦ 改进闸门费用 ♦ 扩展安全操作面积 ♦ 下部泄漏电流: 10 µ 一个 (最大值.) @ v ds = 250v ♦ 下部右 ds(开启) : 0.327 Ω (典型值.) $GYDQFHG 3RZHU 026)(7 热电阻连接至壳体案例-至-水槽交叉点到环境右 θ jc 右 θ cs 右 θ ja ° c/w 特性最大值 UnitsSymbol 典型值特点绝对最大值额定值漏源电压连续排水管电流 (t c =25 ° c) 连续排水管电流 (t c =100 ° c) 排水管电流-脉冲 (1) 栅极到源极电压单独脉冲雪崩能源 (2) 雪崩电流 (1) 重复性雪崩能源 (1) 峰值二极管回收设计验证/dt (3) 合计电源耗散 (t c =25 ° c) 线性降额因素操作接合点和存储温度范围最大值铅温度用于焊接目的, 1/8 从案例用于 5-秒特性值 UnitsSymbol 我 dm v gs e? 作为我 ar e? ar 设计验证/dt 我 d p d t j , t stg t l 一个 v mJ 一个 mJ v/ns w w/ ° c 一个 ° c v DSS v 至-220 1.闸门 2. 排水管 3. 来源 3 2 1 ©1999 仙童半导体公司 rev. b

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