参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 8.0
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 5.6 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
32
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 88 w
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
3.8
线性 降额 因素 0.59 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
110 mJ
我
ar
雪崩 电流
4.8 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
8.8 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt 7.3 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 +175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew
10 lbf•in (1.1n•m)
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
9/10/01
绝对 最大值 额定值
描述
v
DSS
= 250v
右
ds(开启)
= 0.435
Ω
我
d
= 8.0a
s
d
g
高级 流程 技术
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
轻松 的 平行
简单 驱动器 要求
d
2
Pak
IRF634NS
至-220ab
IRF634N
至-262
IRF634NL
IRF634N
IRF634NS
IRF634NL
第五 世代 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固 设备
设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠
设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 至-220 包装 是 universally 首选 用于 全部 商业-
工业 应用程序 在 电源 耗散 级别 至
大约 50 瓦特. 这 低 热 电阻 和 低
包装 成本 的 这 至-220 贡献 至 其 宽 验收
贯穿始终 这 行业.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高
电源 能力 和 这 最低 可能 导通电阻 入点 任何
现有 表面 安装 包装. 这 d
2
pak 是 适合 用于 高
电流 应用程序 因为 的 其 低 内部 连接
电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面
安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irf634nl) 是 可用 用于 低-
配置文件 应用程序.
www.irf.com 1
pd - 94310
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