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8/5/05
IRF6645
DirectFET
电源 场效应晶体管
DirectFET
ISOMETRIC
适用 directfet 大纲 和 基材 大纲 (请参见 p.7,8 用于 详细信息)
无花果 1.
典型 导通电阻 vs. 闸门 电压
描述
这 irf6645 联合收割机 这 最新 hexfet® 电源 场效应晶体管 硅 技术 与 这 高级 directfet
tm
包装 至 实现 这
最低 开启状态 电阻 入点 一个 包装 那 有 这 占地面积 的 一个 micro8 和 仅 0.7 mm 配置文件. 这 directfet 包装 是兼容 与
现有 布局 几何形状 已使用 入点 电源 应用程序, pcb 总成 设备 和 蒸气 相位, infra-红色 或 对流 焊接 技术,
当 应用程序 备注 一个-1035 是 跟踪 关于 这 制造业 方法 和 流程. 这 directfet 包装 允许 双侧面
冷却 至 最大化 热 转让 入点 电源 系统, 改善 上一个 最好 热 电阻 由 80%.
这 irf6645 是 优化 用于 主要 侧面 桥梁 拓扑 入点 隔离 直流-直流 应用程序, 用于 宽 范围 通用 输入 电信 应用程序
(36v - 75v), 和 用于 次要 侧面 同步 整改 入点 受规管 直流-直流 拓扑. 这 减少 合计 损失 入点 这 设备 耦合
与 这 高 水平 的 热 业绩 启用 高 效率 和 低 温度, 哪个 是 钥匙 用于 系统 可靠性 我mprovements,
和 使 这个 设备 理想 用于 高 业绩 隔离 直流-直流 转换器.
rohs 符合 包含 否 铅 和 bromide
低 配置文件 (&指示灯;0.7 mm)
双 侧面 冷却 兼容
超 低 包装 电感
优化 用于 高 频率 开关
理想 用于 高 业绩 隔离 变频器
主要 开关 插座
优化 用于 同步 整改
低 传导 损失
兼容 与 现有 表面 安装 技术
单击 开启 这个 截面 至 链接 至 这 适当的 技术类 纸张.
单击 开启 这个 截面 至 链接 至 这 directfet 网站.
表面 已安装 开启 1 入点. 方块字 铜 板, 稳定 州.
t
c
已测量 与 热电偶 已安装 至 顶部 (排水管) 的 零件.
重复性 评级; 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
起动 t
j
= 25°c, l = 5.0mh, 右
g
= 25
Ω
, 我
作为
= 3.4a.
无花果 2.
典型 合计 闸门 费用 vs. 栅极到源极 电压
绝对 最大值 ratings
参数 单位
v
ds
漏源 电压 v
v
gs
栅极到源极 电压
我
d
@ t
一个
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
e?
我
d
@ t
一个
= 70°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
e?
一个
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
f
我
dm
脉冲 排水管 电流
g
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
h
mJ
我
ar
雪崩 电流
Ãg
一个
29
最大值
4.5
25
45
±20
100
5.7
3.4
4 6 8 10 12 14 16
v
gs
, 栅极到源极 电压 (v)
20
30
40
50
60
70
80
t
y
p
我
c
一个
l
右
d
s
(
o
n
)
(
m
Ω
)
t
j
= 25°c
t
j
= 125°c
我
d
= 3.4a
0481216
q
g
合计 闸门 费用 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
v
g
s
,
g
一个
t
e?
-
t
o
-
s
o
u
右
c
e?
v
o
l
t
一个
g
e?
(
v
)
v
ds
= 80v
vds= 50v
我
d
= 3.4a
v
DSS
v
gs
右
ds(开启)
100v 最大值 ±20v 最大值
28m
Ω
@ 10v
q
g tot
q
gd
v
gs(th)
14nC 4.8nc 4.0v
sh
SJ
sp MZ 锰
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