符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 35
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 12.5
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 20 °c/w
右
θ
jc
连接至壳体
––– 3.0
右
θ
j-pcb
接合点-至-pcb 已安装 ––– 1.0
DirectFET
tm
电源 场效应晶体管
IRF6601
参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 20 v
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 85
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 26
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 20 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
200
p
d
@T
一个
= 25
°
c 电源 耗散 3.6
p
d
@T
一个
= 70
°
c 电源 耗散 2.3
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 42
线性 降额 因素 28 mw/
°
c
v
gs
栅极到源极 电压 ±20 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
°
c
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
他 irf6601 联合收割机 这 最新 hexfet
®
电源 场效应晶体管 硅 技术 与 这 高级 directfet
tm
包装
至 实现 这 最低 开启状态 电阻 入点 一个 包装 那 有 这 占地面积 的 一个 所以-8 和 仅 0.7 mm 配置文件. 这 directfet
包装 是 兼容 与 现有 布局 几何形状 已使用 入点 电源 应用程序, pcb 总成 设备 和 蒸气 相位,
infra-红色 或 对流 焊接 技术. 这 directfet 包装 允许 双 侧面 冷却 至 最大化 热 转让
入点 电源 系统, 改善 上一个 最好 热 电阻 由 80%.
这 irf6601 余额 两者都有 低 电阻 和 低 费用 沿 与 超 低 包装 电感 至 减少 两者都有 传导
和 开关 损失. 这 减少 合计 损失 制造 这个 产品 理想 用于 高 效率 直流-直流 转换器 那 电源 这
最新 世代 的 处理器 操作 在 较高 频率. 这 irf6601 有 被 优化 用于 参数 那 是
关键 入点 同步 降压 转换器 包括 rds(开启), 闸门 费用 和 cdv/dt-诱导 转弯 开启 免疫. 这 irf6601
优惠 特别是 低 rds(开启) 和 高 cdv/dt 免疫 用于 同步 场效应晶体管 应用程序.
描述
应用程序 具体 mosfets
理想 用于 cpu 核心 直流-直流 转换器
低 传导 损失
低 开关 损失
低 配置文件 (&指示灯;0.7 mm)
双 侧面 冷却 兼容
兼容 与 exisiting 表面 安装
技术
DirectFET
ISOMETRIC
热 电阻
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
20V 3.8m
Ω
@V
gs
= 10v 26A
5.0m
Ω
@V
gs
= 4.5v 21A
pd - 94366c
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