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6/6/05
IRF6621
DirectFET
电源 场效应晶体管
描述
这 irf6621 联合收割机 这 最新 hexfet® 电源 场效应晶体管 硅 技术 与 这 高级 directfet
tm
包装 至 实现 这
最低 开启状态 电阻 入点 一个 包装 那 有 这 占地面积 的 一个 微型-8 和 仅 0.7 mm 配置文件. 这 directfet 包装 是兼容
与 现有 布局 几何形状 已使用 入点 电源 应用程序, pcb 总成 设备 和 蒸气 相位, infra-红色 或 对流 溶胶定神
技术, 当 应用程序 备注 一个-1035 是 跟踪 关于 这 制造业 方法 和 流程. 这 directfet 包装允许
双 侧面 冷却 至 最大化 热 转让 入点 电源 系统, 改善 上一个 最好 热 电阻 由 80%.
这 irf6621 余额 两者都有 低 电阻 和 低 费用 沿 与 超 低 包装 电感 至 减少 两者都有 传导 和 s巫术
损失. 这 减少 合计 损失 制造 这个 产品 理想 用于 高 效率 直流-直流 转换器 那 电源 这 最新 世代 的 处理器
操作 在 较高 频率. 这 irf6621 有 被 优化 用于 参数 那 是 关键 入点 同步 降压 操作从 12 电压
总线 转换器 包括 rds(开启) 和 闸门 费用 至 最小化 损失 入点 这 控制 场效应晶体管 socke
t.
适用 directfet 大纲 和 基材 大纲 (请参见 p.7,8 用于 详细信息)
无花果 1.
典型 导通电阻 vs. 闸门 电压
无花果 2.
典型 合计 闸门 费用 vs 栅极到源极 电压
rohs 符合 包含 否 铅 和 bromide
低 配置文件 (&指示灯;0.7 mm)
双 侧面 冷却 兼容
超 低 包装 电感
优化 用于 高 频率 开关
理想 用于 cpu 核心 直流-直流 转换器
优化 用于 两者都有 同步.场效应晶体管 和 一些 控制 场效应晶体管
应用程序
低 传导 和 开关 损失
兼容 与 现有 表面 安装 技术
单击 开启 这个 截面 至 链接 至 这 适当的 技术类 纸张.
单击 开启 这个 截面 至 链接 至 这 directfet 网站.
表面 已安装 开启 1 入点. 方块字 铜 板, 稳定 州.
t
c
已测量 与 热电偶 已安装 至 顶部 (排水管) 的 零件.
重复性 评级; 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
起动 t
j
= 25°c, l = 0.29mh, 右
g
= 25
Ω
, 我
作为
= 9.6a.
DirectFET
ISOMETRIC
2.0 4.0 6.0 8.0 10.0
v
gs
, 栅极到源极 电压 (v)
5
10
15
20
25
t
y
p
我
c
一个
l
右
d
s
(
o
n
)
(
m
Ω
)
t
j
= 25°c
t
j
= 125°c
我
d
= 12a
0 4 8 12 16 20 24 28
q
g
合计 闸门 费用 (nc)
0
2
4
6
8
10
12
v
g
s
,
g
一个
t
e?
-
t
o
-
s
o
u
右
c
e?
v
o
l
t
一个
g
e?
(
v
)
v
ds
= 24v
vds= 15v
我
d
= 9.6a
v
DSS
v
gs
右
ds(开启)
右
ds(开启)
30v 最大值 ±20v 最大值
7.0m
Ω
@ 10v 9.3m
Ω
@ 4.5v
sq
sx st MQ MX MT mp
绝对 最大值 ratings
参数 单位
v
ds
漏源 电压 v
v
gs
栅极到源极 电压
我
d
@ t
一个
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
e?
我
d
@ t
一个
= 70°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
e?
一个
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
f
我
dm
脉冲 排水管 电流
g
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
h
mJ
我
ar
雪崩 电流
Ãg
一个
最大值
9.6
55
96
±20
30
12
13
9.6
q
g tot
q
gd
q
gs2
q
rr
q
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v
gs(th)
11.7nc 4.2nc 1.0nc 10nC 6.9nc 1.8v
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