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irf6602/irf6602tr1
HEXFET
电源 场效应晶体管
备注
通过
是 开启 第页 11
v
DSS
右
ds(开启)
最大值
Qg
20V
13m
Ω
@V
gs
= 10v
12nC
19m
Ω
@V
gs
= 4.5v
DirectFET
ISOMETRIC
描述
这 irf6602 联合收割机 这 最新 hexfet® 电源 场效应晶体管 硅 技术 与 这 高级 directfet
tm
包装 至
实现 这 最低 开启状态 电阻 费用 产品 入点 一个 包装 那 有 这 占地面积 的 一个 所以-8 和 仅 0.7 mm 配置文件.
这 directfet 包装 是 兼容 与 现有 布局 几何形状 已使用 入点 电源 应用程序, pcb 总成 设备
和 蒸气 相位, infra-红色 或 对流 焊接 技术, 当 应用程序 备注 一个-1035 是 跟踪 关于 这
制造业 方法 和 流程. 这 directfet 包装 允许 双 侧面 冷却 至 最大化 热 转让 入点
电源 系统, 改善 上一个 最好 热 电阻 由 80%.
这 irf6602 余额 两者都有 低 电阻 和 低 费用 沿 与 超 低 包装 电感 至 减少 两者都有 传导
和 开关 损失. 这 减少 合计 损失 制造 这个 产品 理想 用于 高 效率 直流-直流 转换器 那 电源 这
最新 世代 的 处理器 操作 在 较高 频率. 这 irf6602 有 被 优化 用于 参数 那 是
关键 入点 同步 降压 转换器 包括 rds(开启) 和 闸门 费用至 最小化 损失 入点 这 控制 场效应晶体管 插座.
应用程序 具体 mosfets
理想 用于 cpu 核心 直流-直流 转换器
低 传导 损失
低 开关 损失
低 配置文件 (&指示灯;0.7 mm)
双 侧面 冷却 兼容
兼容 与 现有 表面 安装 技术
绝对 最大值 额定值
参数 单位
v
ds
漏源 电压 v
v
gs
栅极到源极 电压
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
我
d
@ t
一个
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
我
d
@ t
一个
= 70°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
我
dm
pulsed d右心房入点c电流
c
p
d
@T
一个
= 25°c
p功率diss我pat离子
g
w
p
d
@T
一个
= 70°c
p功率diss我pat离子
g
p
d
@T
c
= 25°c
电源 耗散
线性 降额 因素 w/°c
t
j
操作 接合点 和 °C
t
stg
存储 温度 范围
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
junct我开启-至-上午比恩特
f
––– 55
右
θ
ja
junct我开启-至-上午比恩特
g
12.5 –––
右
θ
ja
junct我开启-至-上午比恩特
h
20 ––– °c/w
右
θ
jc
junct我开启-至-case
我
––– 3.0
右
θ
j-pcb
接合点-至-pcb 已安装 1.0 –––
最大值
11
8.9
89
±20
20
48
-40 至 + 150
2.3
0.018
1.5
42
适用 directfet 包装/布局 衬垫 (请参见 p.9, 10 用于 详细信息)
sq sx st
MQ
MX MT
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