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11/3/04
IRF6691
HEXFET
电源 场效应晶体管 加号 肖特基 二极管
备注
通过
是 开启 第页 10
DirectFET
ISOMETRIC
应用程序 具体 mosfets
集成 单片 海沟 肖特基 二极管
理想 用于 cpu 核心 直流-直流 转换器
低 传导 损失
低 反向 回收 损失
低 开关 损失
低 反向 回收 费用 和 低 vf
低 配置文件 (&指示灯;0.7 mm)
双 侧面 冷却 兼容
兼容 与 现有 表面 安装 技术
描述
适用 directfet 包装/布局 衬垫 (请参见 p.8,9 用于 详细信息)
sq sx st MQ MX
MT
v
DSS
右
ds(开启)
最大值
qg(典型值.)
20V
2.5m
Ω
@V
gs
= 4.5v
47nC
1.8m
Ω
@V
gs
= 10v
绝对 最大值 额定值
参数 单位
v
ds
漏源 电压
v
v
gs
栅极到源极 电压
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
我
d
@ t
一个
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
我
d
@ t
一个
= 70°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
我
dm
脉冲 排水管 电流
c
p
d
@T
一个
= 25°c
电源 耗散
g
p
d
@T
一个
= 70°c
电源 耗散
g
w
p
d
@T
c
= 25°c
电源 耗散
线性 降额 因素
w/°c
t
j
操作 接合点 和
°C
t
stg
存储 温度 范围
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
交叉点到环境
fj
––– 45
右
θ
ja
交叉点到环境
gj
12.5 –––
右
θ
ja
交叉点到环境
hj
20 ––– °c/w
右
θ
jc
连接至壳体
ij
––– 1.4
右
θ
j-pcb
接合点-至-pcb 已安装
1.0 –––
-40 至 + 150
2.8
0.022
1.8
89
最大值
32
26
260
±12
20
180
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