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IRF7240
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
这些 p沟道 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至
实现 这 极其 低 导通电阻 按 硅
面积. 这个 效益 提供 这 设计师 与 一个
极其 高效 设备 用于 使用 入点 蓄电池 和 荷载
管理 应用程序..
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制
引线框架 用于 增强型 热 特性 和
多个-模具 能力 制作 它 理想 入点 一个 品种 的
电源 应用程序. 与 这些 改进, 多个
设备 可以 是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地
减少 板 空间. 这 包装 是 设计 用于
蒸气 相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术.
描述
超 低 导通电阻
p沟道 场效应晶体管
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
pd- 93916
参数 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
50 °c/w
热 电阻
绝对 最大值 额定值
w
顶部 查看
8
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d
d
dg
s
一个
d
s
s
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 我
d
-40v
0.015@v
gs
= -10v -10.5a
0.025@v
gs
= -4.5v -8.4a
所以-8
参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -40 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -10.5
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -8.6 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-43
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
2.5
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散
1.6
线性 降额 因素 20 mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
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