参数 最大值 单位
v
ds
排水管- 来源 电压 -40 v
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -6.2
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -4.9 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-25
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散
2.5
p
d
@T
一个
= 70°c 电源 耗散
1.6
线性 降额 因素 20 mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
1/26/01
www.irf.com 1
IRF7241
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd- 94087
绝对 最大值 额定值
w
顶部 查看
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d
d
dg
s
一个
d
s
s
v
DSS
右
ds(开启)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
我
d
-40v
41@V
gs
= -10v -6.2a
70@V
gs
= -4.5v -5.0a
所以-8
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
JL
接合点-至-排水管 铅 ––– 20
右
θ
ja
交叉点到环境
––– 50 °c/w
热 电阻
新建 海沟 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 极其 低 导通电阻
按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这
加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 蓄电池 和 荷载 管理 应用程序.
●
海沟 技术
●
超 低 导通电阻
●
p沟道 场效应晶体管
●
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
描述
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