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资料编号:317313
 
资料名称:IRF7469
 
文件大小: 114.76K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
3/25/01
IRF7469
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
备注

通过
是 开启 第页 8
符号 参数 典型值 最大值 单位
θ
JL
接合点-至-排水管 铅 ––– 20
θ
ja
交叉点到环境
––– 50 °c/w
热 电阻
绝对 最大值 额定值
符号 参数 最大值 单位
v
ds
漏源 电压 40 v
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
d
@ t
一个
@ 10v 9.0
d
@ t
一个
@ 10v 7.3 一个
dm
脉冲 排水管 电流
73
p
d
@T
一个
= 25°c 最大值 电源 耗散
2.5 w
p
d
@T
一个
= 70°c 最大值 电源 耗散
1.6 w
线性 降额 因素 0.02 mw/°c
t
j
, t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
所以-8
顶部 查看
8
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d
d
d
dg
s
一个
s
s
一个
v
DSS
ds(开启)
最大值(m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
d
40V 17@V
gs
= 10v 9.0a
pd- 93951a
应用程序
好处
超-低 闸门 阻抗
很 低 右
ds(开启)
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
高 频率 隔离 直流-直流
转换器 与 同步 整改
用于 电信 和 工业 使用
高 频率 降压 转换器 用于
计算机 处理器 电源
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