IRF7509
pd - 91270j
●
一代 v 技术
●
过激 低 在-阻抗
●
双 n 和 p 频道 场效应晶体管
●
非常 小 soic 包装
●
低 profile (<1.1mm)
●
有 在 录音带 &放大; 卷轴
●
快 切换
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
n-ch p-ch
V
DSS
30V -30v
R
ds(在)
0.11
Ω
0.20
Ω
12/1/98
Micro8
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器 utilize 先进的
处理 技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每 硅
范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好 知道 为, 提供 这
设计者 和 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性
的 产品.
这 新 micro8 包装, 和 half 这 footprint 范围 的 这 标准 所以-8,
提供 这 smallest footprint 有 在 一个 soic 外形. 这个 制造 这
micro8 一个 完美的 设备 为 产品 在哪里 打印 电路 板 空间 是 在
一个 premium. 这 低 profile (<1.1mm) 的 这 micro8 将 准许 它 至 合适 容易地 在
极其 薄的 应用 环境 此类 作 可携带的 electronics 和
pcmcia cards.
描述
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
n-频道 场效应晶体管
p-频道 场效应晶体管
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
n-频道 p-频道
V
DS
流-源 电压 30 -30V
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
2.7 -2.0
I
D
@ t
一个
= 70°c 持续的 流 电流, v
GS
2.1 -1.6 一个
I
DM
搏动 流 电流
21 -16
P
D
@T
一个
= 25°c 最大电源消耗
1.25 W
P
D
@T
一个
= 70°c 最大电源消耗
0.8 W
直线的 减额 因素10 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 v
V
GSM
门-至-源 电压 单独的 脉冲波 tp<10µs 30 v
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
, t
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
焊接 温度, 为 10 秒 240 (1.6mm 从 情况)
热的 阻抗
参数 最大值 单位
R
θ
JA
最大 接合面-至-包围的
100 °c/w
绝对 最大 比率
: 点此下载
