IRF7603
pd - 9.1262d
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 新建 micro8 包装, 与 一半 这 占地面积 面积 的 这
标准 所以-8, 提供 这 最小 占地面积 可用 入点
一个 soic 大纲. 这个 使 这 micro8 一个 理想 设备 用于
应用程序 在哪里 已打印 电路 板 空间 是 在 一个
保费. 这 低 配置文件 (&指示灯;1.1mm) 的 这 micro8 将 允许
它 至 适合 很容易 进入 极其 薄 应用程序 环境
这样的 作为 便携式 电子产品 和 pcmcia 卡片.
世代 v 技术
超 低 导通电阻
n通道 场效应晶体管
很 小 soic 包装
低 配置文件 (&指示灯;1.1mm)
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
快 开关
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81
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5
6
7
d
d
d
dg
s
一个
s
s
一个
v
DSS
= 30v
右
ds(开启)
= 0.035
Ω
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
描述
Micro8
参数 最大值 单位
我
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 5.6
我
d
@ t
一个
= 70°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 4.5 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
30
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 1.8 w
线性 降额 因素 14
mw/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点和 存储 温度 范围 -55 至 + 150 °C
绝对 最大值 额定值
8/25/97
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
ja
最大值 交叉点到环境
––– 70 °c/w
热 电阻
全部 micro8 数据 床单 反映 改进 热 电阻, 电源 和 电流 -搬运 额定值- 有效
仅 用于 产品 已标记 与 日期 代码 505 或 稍后 .
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