参数 标识 irf7809a v 单位
流-源 电压 V
DS
30 V
门-源 电压 V
GS
±12
持续的 流 或者 源 T
一个
= 25°c I
D
13.3
电流 (v
GS
≥
4.5v) T
L
= 90°c 14.6 一个
搏动 流 电流
I
DM
100
电源 消耗 T
一个
= 25°c P
D
2.5 W
T
L
= 90°c 3.0
接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
J
,
T
STG
–55 至 150 °C
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
2.5 一个
搏动 源 电流
I
SM
50
• n-频道 应用-明确的 mosfets
• 完美的 为 cpu 核心 直流-直流 转换器
• 低 传导 losses
• 低 切换 losses
• 降低 并行的 mosfets 为 高 电流
产品
描述
这个 新 设备 雇用 先进的 hexfet 电源
场效应晶体管 技术 至 达到 一个 unprecedented
balance 的 在-阻抗 和 门 承担. 这 减少
传导 和 切换 losses 制造 它 完美的 为 高
效率 直流-直流 转换器 那 电源 这 最新的
一代 的 微处理器.
这 irf7809av 有 被 优化 为 所有 参数
那 是 核心的 在 同步的 buck 转换器 包含
R
ds(在)
, 门 承担 和 cdv/dt-induced 转变-在 免除.
这 irf7809av 提供 particulary 低 r
ds(在)
和 高
cdv/dt 免除 为 同步的 场效应晶体管 产品.
这 包装 是 设计 为 vapor 阶段, infra-red,
convection, 或者 波 焊接 技巧. 电源
消耗 的 更好 比 2w 是 可能 在 一个 典型
pcb 挂载 应用.
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
最大 接合面-至-包围的
R
θ
JA
50 °c/w
最大 接合面-至-含铅的 R
θ
JL
20 °c/w
热的 阻抗
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
DG
S
一个
S
S
一个
pd-90010
IRF7809AV
所以-8
10/26/00
IRF7809AV
R
DS
(在)
7.0m
Ω
Q
G
41nC
Q
sw
14nC
Q
oss
30nC
设备 特性
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