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资料编号:319571
 
资料名称:MRF9130LR3
 
文件大小: 557.39K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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mrf9130lr3 mrf9130lsr3
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf sub-微米 场效应晶体管 线
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计 用于 gsm 和 gsm 边缘 底座 车站 应用程序 与
频率 从 921 至 960 mhz, 这 高 增益 和 宽带 业绩
的 这些 设备 制造 他们 理想 用于 大型-信号, 普通-来源 放大器
应用程序 入点 28 电压 底座 车站 设备.
输出 电源 @ p1db — 135 瓦特
电源 增益 — 16.5 db @ 130 瓦特 输出 电源
效率 — 48% @ 130 瓦特 输出 电源
内部 匹配, 受控 q, 用于 轻松 的 使用
高 增益, 高 效率 和 高 线性度
综合 esd 保护
设计 用于 最大值 增益 和 插入 相位 平整度
有能力 的 搬运 5:1 vswr, @ 28 vdc, 全部 频率 乐队,
130 瓦特 cw 输出 电源
优秀 热 稳定性
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联, 40
µ″
标称值.
入点 胶带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 按 56 mm, 13 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
65 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
- 0.5, +15 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
=
25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
298
1.7
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +200
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
热 特性
特性 符号 单位
热 电阻, 接合点 至 案例
θ
jc
0.6
°
c/w
esd 保护 特性
测试一下 条件
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 m2 (最小值)
费用 设备 型号 c7 (最小值)
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf9130l/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF9130LR3
MRF9130LSR3
gsm/gsm 边缘
921-960 mhz, 130 w, 28 v
横向 n-频道
rf 电源 mosfets
案例 465-06, 风格 1
ni-780
MRF9130LR3
案例 465a-06, 风格 1
ni-780S
MRF9130LSR3
摩托罗拉, 公司 2004
rev 2
f
e?
e?
s
c
一个
l
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s
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m
c
o
n
d
u
c
t
o
,
飞思卡尔 半导体, 公司
用于 更多 信息 开启 这个 产品,
走 至: www.飞思卡尔.com
n
c
.
.
.
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