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mrf9135l mrf9135lr3 mrf9135lsr3
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线
n–channel enhancement–mode 横向 mosfets
设计 用于 宽带 商业 和 工业 应用程序 与
频率 从 865 至 895 mhz. 这 高 增益 和 宽带 业绩
的 这些 设备 制造 他们 理想 fo右 large–signal, common–source 放大器
应用程序 入点 26 电压 底座 车站 设备.
•
典型 n–cdma 业绩 @ 880 mhz, 26 伏特, 我
DQ
= 1100 ma
is–95 cdma 领航员, 同步, 分页, 交通 代码 8 通过 13
输出 电源 — 25 瓦特 平均值.
电源 增益 — 17.8 db
效率 — 25%
相邻 频道 电源 —
750 khz: –47 dbc @ 30 khz bw
•
内部 匹配, 用于 轻松 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性度
•
综合 esd 保护
•
设计 用于 最大值 增益 和 插入 相位 平整度
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 26 vdc, 880 mhz, 135 瓦特 cw
输出 电源
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 large–signal 阻抗 参数
•
可用 入点 胶带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 按 32 mm, 13 英寸 卷轴.
•
可用 与 低 黄金 电镀 厚度 开启 导联. l 后缀 表示
40
µ″
标称值.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 v
gs
+15, –0.5 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
> = 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
298
1.7
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65 至 +200
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
esd 保护 特性
测试一下 条件 类
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 m2 (最小值)
费用 设备 型号 c7 (最小值)
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 右
θ
jc
0.6
°
c/w
备注 –
注意事项
– mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf9135l/d
半导体 技术类 数据
880 mhz, 135 w, 26 v
横向 n–channel
rf 电源 mosfets
案例 465–06, 风格 1
NI–780
MRF9135L
案例 465a–06, 风格 1
NI–780S
MRF9135LSR3
摩托罗拉, 公司 2002
rev 1
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