April1999
FDC6561AN
双 n-频道逻辑 水平的PowerTrench
TM
场效应晶体管
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 便条
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压- 持续的 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的 2.5 一个
- 搏动 10
P
D
最大 电源 消耗(便条 1a) 0.96 W
(便条 1b)
0.9
(便条 1c)
0.7
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 130 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 60 °c/w
fdc6561an rev.c
这些n-频道 逻辑 水平的 mosfets是
生产 使用 仙童 半导体's 先进的
powertrench 处理 那 有 被 特别 tailored
至 降低 这 在-状态 阻抗 和 还 维持
低 门 承担 为 更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 所有 产品 在哪里
小 大小 是 desireable 但是 特别 低 费用 直流/直流
转换 在 电池 powered 系统.
2.5一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.095
Ω
@ v
GS
= 10V
R
ds(在)
= 0.145
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
非常 快 切换.
低 门 承担 (2.1nc 典型).
SuperSOT
TM
-6包装: 小 footprint (72% 小 比
standard 所以-8); low profile (1mm 厚).
soic-16
sot-23
SuperSOT
TM
-8
所以-8
sot-223SuperSOT
TM
-6
D1
S2
G1
D2
S1
G2
supersot -6
TM
管脚
1
.561
1
5
3
2
6
4
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