january 2004
2004 仙童 半导体 公司
fdc6036p rev c2 (w)
FDC6036P
p沟道 1.8v 指定 powertrench
场效应晶体管
概述 描述
这个 双 p沟道 1.8v 指定 场效应晶体管 用途
仙童’s 高级 低 电压 powertrench 流程.
已打包 入点 flmp ssot-6, 这 右
ds(开启)
和 热
属性 的 这 设备 是 优化 用于 蓄电池 电源
管理 应用程序.
应用程序
•
蓄电池 管理/充电器 应用程序
•
荷载 开关
特点
•
–5 一个, –20 v. 右
ds(开启)
= 44 m
Ω
@ v
gs
= –4.5 v
右
ds(开启)
= 64 m
Ω
@ v
gs
= –2.5 v
右
ds(开启)
= 95 m
Ω
@ v
gs
= –1.8 v
•
低 闸门 费用, 高 电源 和 电流 搬运
能力
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
flmp ssot-6 包装: 增强型 热
业绩 入点 行业标准 包装 尺寸
3
2
1
4
5
6
底部 排水管 联系人
底部 排水管 联系人
场效应晶体管 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 –20 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
8
v
我
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1a)
–5 一个
– 脉冲 –20
p
d
电源 耗散 用于 双 操作
1.8 w
电源 耗散 用于 单独 操作
(备注 1a)
1.8
(备注 1b)
0.9
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
68
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
1
包装 标记 和 订购 信息
.036 fdc6036p 7’’ 8mm 3000 单位
FDC6036P
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