将 2005
©
200
5
仙童 半导体 公司
fdd6670as rev 一个(x)
FDD6670AS
30v n通道 powertrench
®
SyncFET
™
概述 描述
这 fdd6670as 是 设计 至 更换 一个 单独
场效应晶体管 和 肖特基 二极管 入点 同步 直流:直流
电源 供应品. 这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至
最大化 电源 换算 e?效率, 提供 一个 低
右
ds(开启)
和 低 闸门 费用. 这 fdd6670as
包括 一个 专利 组合 的 一个 场效应晶体管
monolithically 综合 与 一个 肖特基 二极管. 这
业绩 的 这 fdd6670as 作为 这 低侧 开关
入点 一个 同步 整流器 是无法区分 从 这
业绩 的 这 fdd6670a 入点 平行 与 一个
肖特基 二极管.
应用程序
•
直流/直流 变频器
•
低 侧面 笔记本
特点
•
76 一个, 30 v 右
ds(开启)
最大值= 8.0 m
Ω
@ v
gs
= 10 v
右
ds(开启)
最大值= 10.4 m
Ω
@ v
gs
= 4.5 v
•
包括 syncfet 肖特基 车身 二极管
•
低 闸门 费用 (29nc 典型)
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
高 电源 和 电流 搬运 能力
.
g
s
d
至-252
s
g
d
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 30 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20
v
排水管 电流 – 连续
(备注 3)
76 一个
我
d
– 脉冲
(备注 1a)
100
p
d
电源 耗散
(备注 1)
70
w
(备注 1a)
3.2
(备注 1b)
1.3
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
1.8
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
40
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1b)
96
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDD6670AS FDD6670AS 13’’ 16mm 2500 单位
fdd6670as fdd6670as_nl
(备注 4)
13’’ 16mm 2500 单位
FDD6670作为
: 点此下载
