october 2000
初步
2000 仙童 半导体 公司
fdg6308p rev b(w)
FDG6308P
p沟道 1.8v 指定 powertrench
场效应晶体管
概述 描述
这个 p沟道 1.8v 指定 场效应晶体管 用途
仙童’s 高级 低 电压 powertrench 流程.
它 有 被 优化 用于 蓄电池 电源 管理
应用程序.
应用程序
•
蓄电池 管理
•
荷载 开关
特点
•
–0.6 一个, –20 v. 右
ds(开启)
= 0.40
Ω
@ v
gs
= –4.5 v
右
ds(开启)
= 0.55
Ω
@ v
gs
= –2.5 v
右
ds(开启)
= 0.80
Ω
@ v
gs
= –1.8 v
•
低 闸门 费用
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
紧凑型 行业 标准 sc70-6 表面 安装
包装
s
g
d
d
g
s
管脚 1
sc70-6
s
g
d
d
g
s
6 或 3
5 或 2
4 或 1
1 或 4
2 或 5
3 或 6
这 引出线 是 对称; 管脚 1 和 管脚 4 是 可互换.
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 –20 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
8
v
我
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1)
–0.6 一个
– 脉冲 –1.8
p
d
电源 耗散 用于 单独 操作
(备注 1)
0.3 w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1)
415
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
.08 FDG6308P 7’’ 8mm 3000 单位
FDG6308P
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