march 2005
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2005 仙童 半导体 公司
fds6680as rev b(x)
FDS6680AS
30v n
-
频道 powertrench
®
SyncFET
™
概述 描述
这 fds6680as 是 设计 至更换 一个 单独 所以-8
场效应晶体管 和 肖特基 二极管 入点 同步 直流:直流
电源 供应品. 这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至
最大化 电源 换算 e?效率, 提供 一个 低
右
ds(开启)
和 低 闸门 费用. 这 fds6680as
包括 一个 综合 肖特基 二极管 使用 仙童’s
单片 syncfet 技术. 这 业绩 的
这 fds6680as 作为 这 低侧 开关 入点 一个
同步 整流器 是 无法区分 从 这
业绩 的 这 fds6680 入点 平行 与 一个 肖特基
二极管.
应用程序
•
直流/直流 变频器
•
低 侧面 笔记本
特点
•
11.5 一个, 30 v. 右
ds(开启)
最大值= 10.0 m
Ω
@ v
gs
= 10 v
右
ds(开启)
最大值= 12.5 m
Ω
@ v
gs
= 4.5 v
•
包括 syncfet 肖特基 车身 二极管
•
低 闸门 费用 (22nc 典型)
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其 低
右
ds(开启)
和 快 开关
•
高 电源 和 电流 搬运 能力
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 30 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20
v
我
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1a)
11.5 一个
– 脉冲 50
电源 耗散 用于 单独 操作
(备注 1a)
2.5
(备注 1b)
1.2
p
d
(备注 1c)
1
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
50
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDS6680AS FDS6680AS 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6680AS fds6680as_nl (备注 4) 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6680AS
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