二月 2003
2003 仙童 半导体 公司
fds6675a rev c (w)
FDS6675A
30v p沟道 powertrench
场效应晶体管
概述 描述
这个 p沟道 场效应晶体管 是 一个 坚固耐用 闸门 版本 的
仙童 半导体’s 高级 powertrench
流程. 它 有 被 优化 用于 电源 管理
应用程序 要求 一个 宽 范围 的 闸门 驱动器 电压
额定值 (4.5v – 25v).
应用程序
•
电源 管理
•
荷载 开关
•
蓄电池 保护
特点
•
–11 一个, –30 v 右
ds(开启)
= 13 m
Ω
@ v
gs
= –10 v
右
ds(开启)
= 19 m
Ω
@ v
gs
= –4.5 v
•
低 闸门 费用
•
快 开关 速度
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
高 电源 和 电流 搬运 能力
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
d
d
d
d
s
s
s
g
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 –30 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
25
v
我
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1a)
–11 一个
– 脉冲 –50
电源 耗散 用于 单独 操作
(备注 1a)
2.5
(备注 1b)
1.2
p
d
(备注 1c)
1
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +175
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
50
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1c)
125
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
25
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDS6675A FDS6675A 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6675A
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