October1998
FDS6675
单独 p-频道, 逻辑 水平, powertrench
tm
场效应晶体管
概述描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 FDS6675 单位
v
DSS
漏源 电压 -30 v
v
GSS
栅极-源极 电压 ±20 v
我
d
排水管 电流 - 连续(备注 1a) -11 一个
- 脉冲 -50
p
d
电源 耗散用于 单独 操作(备注 1a) 2.5 w
(备注 1b) 1.2
(备注 1c) 1
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 50 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 25 °c/w
FDS6675rev.c1
-11一个, -30 v. 右
ds(开启)
= 0.014
Ω
@v
gs
= -10 v,
右
ds(开启)
= 0.020
Ω
@v
gs
= -4.5 v.
低 闸门 费用 (30nc 典型).
高 业绩海沟 技术用于 极其 低
右
ds(开启)
.
高 电源 和 电流 搬运 能力.
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8 sot-223SuperSOT
tm
-6
这个p-频道 逻辑 水平 场效应晶体管是生产
使用 仙童 半导体's 高级 powertrench
流程 那 有 被 尤其是 量身定制 至 最小化
这 开启状态 电阻 和 然而 维护低 闸门 费用
用于 上级 开关 业绩.
这些 设备 是 井 适合 用于 笔记本 计算机
应用程序:荷载 开关 和 电源 管理,
蓄电池 正在充电 电路,和 直流/直流换算.
5
6
7
3
1
8
4
2
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
管脚
1
FDS
6675
© 1998 仙童 半导体 公司
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