将1998
fDS8936A
双 n通道 增强功能 模式 字段 效果 晶体管
概述 描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 fDS8936A 单位
v
DSS
漏源 电压 30 v
v
GSS
栅极-源极 电压 ±20 v
我
d
排水管 电流 - 连续(备注 1a) 6 一个
- 脉冲 20
p
d
电源 耗散 用于 双 操作 2 w
电源 耗散用于 单独 操作(备注 1a) 1.6
(备注 1b) 1
(备注 1c) 0.9
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 78 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 40 °c/w
FDS8936Arev.b
6一个, 30 v. 右
ds(开启)
= 0.028
Ω
@ v
gs
= 10v,
右
ds(开启)
= 0.040
Ω
@ v
gs
= 4.5 v.
高 密度 细胞 设计用于 极其 低 右
ds(开启)
.
高 电源 和 电流 搬运 能力 入点 一个 广泛
已使用 表面 安装 包装.
双 场效应晶体管 入点 表面 安装 包装.
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8 sot-223
SuperSOT
tm
-6
所以-8n-channel 增强功能 模式 电源 字段 效果
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专有, 高
细胞 密度, dmos 技术. 这个 很 高 密度
流程 是 尤其是 量身定制 至 最小化 开启状态 电阻
和 提供 上级 开关 业绩.这些 设备
是 特别是 适合 用于 低 电压 应用程序 这样的 作为
笔记本 计算机 电源 管理 和 其他 蓄电池
通电 电路 在哪里 快 开关, 低 在线 电源 损失,
和 电阻 至 瞬变 是 需要.
1
5
7
8
2
3
4
6
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
FDS
8936A
管脚
1
© 1998 仙童 半导体 公司