©2003 仙童 半导体 公司 rev. 一个, 12月 2003
FJP5027
npn 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 1100 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 800 V
V
EBO
发射级-根基 电压 7 V
I
C
集电级 电流 (直流) 3 一个
I
CP
集电级 电流 (脉冲波) 10 一个
I
B
根基 电流 1.5 一个
P
C
集电级 消耗 ( t
C
=25
°
c) 50 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 1ma, i
E
= 0 1100 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 5ma, i
B
= 0 800 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 1ma, i
C
= 0 7 V
V
CEX
(sus) 集电级-发射级 sustaining 电压 I
C
= 1.5a, i
B1
= -i
B2
= 0.3a
l = 2mh, clamped
800 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 800v, i
E
= 0 10
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, i
C
= 0 10
µ
一个
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 0.2a
V
CE
= 5v, i
C
= 1a
10
8
40
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 1.5a, i
B
= 0.3a 2 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 1.5a, i
B
= 0.3a 1.5 V
C
ob
输出 电容 V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1mhz 60 pF
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 10v, i
C
= 0.2a 15 MHz
t
在
转变
在 时间 V
CC
= 400v
I
C
= 5i
B1
= -2.5i
B2
= 2a
R
L
= 200
Ω
0.5
µ
s
t
STG
存储 时间 3
µ
s
t
F
下降 时间 0.3
µ
s
分类 N R O
h
FE1
10 ~ 20 15 ~ 30 20 ~ 40
FJP5027
高 电压 和 高 可靠性
• 高 速 切换
•wide soa
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-220
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