©2002 仙童 半导体 公司 rev. a3, 8月 2002
FJT44
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 500 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 400 v
v
EBO
发射器-底座 电压 6 v
我
c
收集器 电流 300 ma
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 2 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 -55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 最大值 单位
BV
CBO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
=100
µ
一个, 我
B
=0 500 v
BV
CEO
* 收集器 -发射器 击穿 电压 我
c
=1ma, 我
B
=0 400 v
BV
EBO
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
=100
µ
一个, 我
c
=0 6 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
=400v, 我
e?
=0 0.1
µ
一个
我
消费电子展
收集器 截止 电流 v
ce
=400v, 我
B
=0 0.5
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
=4v, 我
c
=0 0.1
µ
一个
h
铁
* 直流 电流 增益 v
ce
=10v, 我
c
=1mA
v
ce
=10v, 我
c
=10mA
v
ce
=10v, 我
c
=50mA
v
ce
=10v, 我
c
=100mA
40
50
45
40
200
v
ce
(sat) * 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
=1ma, 我
B
=0.1ma
我
c
=10ma, 我
B
=1mA
我
c
=50ma, 我
B
=5mA
0.4
0.5
0.75
v
v
v
v
是
(sat) * 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
=10ma, 我
B
=1mA 0.75 v
c
ob
输出 电容 v
cb
=20v, 我
e?
=0, f=1mhz 7 pf
FJT44
高 电压 晶体管
1.底座 2.收集器 3.发射器
1
sot-223
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