初步的
这个 是 一个 产品 在 抽样 或者 前-生产 阶段 的 开发-
ramtron 国际的 公司
ment. 典型的 数据 和 其它 规格 是 主题 至 1850 ramtron 驱动, colorado springs, co 80921
改变 没有 注意. (800) 545-fram, (719) 481-7000
www.ramtron.com
rev. 1.0
july 2003 页 1 的 11
FM25CL04
4kb fram 串行 3v 记忆
特性
4k 位 ferroelectric nonvolatile 内存
•
有组织的 作 512 x 8 位
•
unlimited 读/写 循环
•
10 年 数据 保持
•
nodelay™ 写
•
先进的 高-可靠性 ferroelectric 处理
非常 快 串行 附带的 接口 - spi
•
向上 至 20 mhz 频率
•
直接 硬件 替换 为 可擦可编程只读存储器
•
spi 模式 0 &放大; 3 (cpol, cpha=0,0 &放大; 1,1)
写 保护 scheme
•
硬件 保护
•
软件 保护
低 电源 消耗量
•
低 电压 运作 2.7-3.65v
•
1
µ
一个 备用物品 电流
工业 标准 配置
•
工业的 温度 -40
°
c 至 +85
°
C
•
8-管脚 soic
描述
这 fm25cl04 是 一个 4-kilobit nonvolatile 记忆
employing 一个 先进的 ferroelectric 处理. 一个
ferroelectric 随机的 进入 记忆 或者 fram 是
nonvolatile 和 执行 读 和 写 像 一个
内存. 它 提供 可依靠的 数据 保持 为 10 年
当 eliminating 这 complexities, overhead, 和
系统 水平的 可靠性 问题 造成 用
可擦可编程只读存储器 和 其它 nonvolatile memories.
不像 串行 eeproms, 这 fm25cl04 执行
写 行动 在 总线 速. 非 写 延迟 是
incurred. 这 next 总线 循环 将 commence
立即 没有 这 需要 为 数据 polling. 这
next 总线 循环 将 开始 立即. 在 增加, 这
产品 提供 virtually unlimited 写 忍耐力.
也, fram exhibits 更 更小的 电源
消耗量 比 可擦可编程只读存储器.
这些 能力 制造 这 fm25cl04 完美的 为
nonvolatile 记忆 产品 需要 frequent
或者 迅速 写 或者 低 电源 运作. examples
范围 从 数据 collection, 在哪里 这 号码 的
写 循环 将 是 核心的, 至 要求 工业的
控制 在哪里 这 长 写 时间 的 可擦可编程只读存储器 能
导致 数据 丧失.
这 fm25cl04 提供 substantial 益处 至 用户
的 串行 可擦可编程只读存储器 作 一个 硬件 漏出-在
替换. 这 fm25cl04 使用 这 高-速
spi 总线, 这个 enhances 这 高-速 写
能力 的 fram 技术. 设备
规格 是 有保证的 在 一个 工业的
温度 范围 的 -40°c 至 +85°c.
管脚 配置
管脚 名字 函数
/cs 碎片 选择
/wp 写 保护
/支撑 支撑
sck 串行 时钟
SI 串行 数据 输入
所以 串行 数据 输出
vdd 供应 电压
vss 地面
订货 信息
fm25cl04-s 8-管脚 soic
CS
所以
WP
VSS
VDD
支撑
SCK
SI
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