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资料编号:34557
 
资料名称:29F002
 
文件大小: 436.41K
   
说明
 
介绍:
2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
一般 描述
这 mx29f002t/b 是 一个 2-mega 位 flash 记忆 organ-
ized 作 256k 字节 的 8 位 仅有的. mxic's flash memories
提供 这 大多数 费用-有效的 和 可依靠的 读/写 非-
易变的 随机的 进入 记忆. 这 mx29f002t/b 是
packaged 在 32-管脚 pdip,plcc 和 32-管脚 tsop(i). 它 是
设计 至 是 reprogrammed 和 erased 在-系统 或者 在-
标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mx29f002t/b 提供 进入 时间 作 快 作
没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention, 这
mx29f002t/b 有 独立的 碎片 使能 (ce) 和 输出
使能 (oe) 控制.
mxic's flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
mx29f002t/b 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际. 这 command 寄存器 准许 为 100% ttl
水平的 控制 输入 和 fixed 电源 供应 水平 在
擦掉 和 程序编制, 当 维持 最大
非易失存储器 兼容性.
特性
262,144x 8 仅有的
快 进入 时间: 55/70/90/120ns
低 电源 消耗量
- 30ma 最大 起作用的 电流(5mhz)
- 1ua 典型 备用物品 电流
程序编制 和 erasing 电压 5v ± 10%
command 寄存器 architecture
- 字节 程序编制 (7us 典型)
- sector 擦掉 (16k-字节 x1, 8k-字节x2,32k-字节
x1, 和 64k-字节 x 3)
自动 擦掉 (碎片 &放大; sector) 和 自动 程序
- automatically 擦掉 任何 结合体 的 sectors 或者 这
全部的 碎片 和 擦掉 suspend 能力.
- automatically programs 和 核实 数据 在 指定
地址
擦掉 suspend/擦掉 重新开始
- suspends 一个 擦掉 运作 至 读 数据 从, 或者
程序 数据 至, 一个 sector 那 是 不 正在 erased, 然后
重新开始 这 擦掉 运作.
状态 reply
1
- 数据 polling &放大; toggle 位 为 发现 的 程序 和
擦掉 循环 completion.
sector 保护
- 硬件 方法 至 使不能运转 任何 结合体 的
sectors 从 程序 或者 擦掉 行动
- sector 保护/unprotect 为 5v 仅有的 系统 或者 5v/
12v 系统
100,000 最小 擦掉/程序 循环
获得-向上 保护 至 100ma 从 -1 至 vcc+1v
激励 代号 sector architecture
- t = 顶 激励 sector
- b = bottom 激励 sector
硬件 重置 管脚(仅有的 为 29f002t/b)
- resets 内部的 状态 机器 至 读 模式
低 vcc 写 inhibit 是 equal 至 或者 较少 比 3.2v
包装 类型:
- 32-管脚 pdip
- 32-管脚 plcc
- 32-管脚 tsop (类型 1)
20 年 数据 保持
p/n: pm0547
rev. 1.1, 六月. 14, 2001
mxic's flash 技术 reliably stores 记忆 内容
甚至 之后 100,000 擦掉 和 程序 循环. 这 mxic
cell 是 设计 至 优化 这 擦掉 和 程序编制
mechanisms. 在 增加, 这 结合体 的 先进的
tunnel oxide 处理 和 低 内部的 electric 地方 为
擦掉 和 程序编制 行动 生产 可依靠的
cycling. 这 mx29f002t/b 使用 一个 5.0v ± 10% vcc
供应 至 执行 这 高 可靠性 擦掉 和 自动
程序/擦掉 algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到 和
mxic's 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上 保护
是 proved 为 压力 向上 至 100 milliamps 在 地址 和
数据 管脚 从 -1v 至 vcc + 1v.
mx29f002/002n
2m-位 [256k x 8] cmos flash 记忆
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