Si4500DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 70880
s-00269—rev. 一个, 26-apr-99
www.vishay.com
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2-1
complementary 场效应晶体管 half-桥 (n- 和 p-频道)
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
n-频道 20
0.030 @ v
GS
= 4.5 v
7.0
n-频道 20
0.040 @ v
GS
= 2.5 v
6.0
p-频道 –20
0.065 @ v
GS
= –4.5 v
4.5
p-频道 –20
0.100 @ v
GS
= –2.5 v
3.5
S
1
D
G
1
D
S
2
D
G
2
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
S
2
G
2
G
1
S
1
D
参数 标识 n-频道 p-频道 单位
流-源 电压 V
DS
20 –20
V
门-源 电压 V
GS
12
12
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
7.0
4.5
一个
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
5.5
3.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
30
20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
1.7 –1.7
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
2.5
wmaximum 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
1.6
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
P Sbl
n-频道 p- 频道
Ui参数 标识
Typ 最大值 Typ 最大值
单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
10 秒
R
thJA
38 50 40 50
c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
R
thJA
73 95 73 95
c/w
最大 接合面-至-foot 稳步的-状态 R
thJC
17 22 20 26
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
10 秒
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