AN606
vishay siliconix
文档 号码: 71991
17-dec-03
www.vishay.com
1
电流-感觉到 电源 mosfets
KandarpPandya
介绍
vishay siliconix 电流-感觉到 电源 mosfets 提供 一个
简单的 意思 的 包含 一个 保护 特性 在 一个
电子的 控制 电路 和 avoiding catastrophic failures
结果 从 overcurrent (超载) 和/或者 短的-电路
情况.这 设备 包装 是 一个 修改 d
2
pak 和 five
管脚. 这 场效应晶体管 末端 retains 这 标准 d
2
PAK
footprint为 一个 三-管脚 设备. 这 额外的 二 管脚 提供
末端 为 一个 电流-sense 输出 和 一个 内部的 kelvin
连接 至 这 源. 为 电流 感觉到, 这 场效应晶体管
设计 雇用 一个 小 号码 的 这 总的 号码 的
场效应晶体管 cells 在 一个 知道 比率. 这 latter 定义 这
电流-sense 参数. 一个 典型 控制 接口 使用 一个
简单的电路 和 一个 运算-放大 或者一个 比较器.这个 approach
提供 这 自由 的 控制-水平的 设置 和 facilitates 它的
incorporation 在 这主要的 控制 系统.
设备 描述 和 principle 的
运作
KELVIN
d (tab, 3)
G
s (5)
n-频道 场效应晶体管
D
2
pak-5
SGD
SENSE
51
324
SENSE
(1)
(2)
(4)
KELVIN
图示 1.
包装 信息 和 图式 标识
包装 信息 和 图式 标识, 图示 1, 显示 一个
partial 再版 的 一个 数据手册 为 一个 电流-感觉到
场效应晶体管, sum50n03-13c. 门, 流-stub/tab, 和 源
(管脚 1, 2, 和 3) 是 在 这 一样 位置 作 在 一个 标准 d
2
PAK
(至-263) 场效应晶体管. 不管怎样, 管脚-输出 修改 是 必需的 至
包含 电流-sense (管脚 2) 和 kelvin-至-源 (pin 4)
在 门 和 流-stub 和 在 流-stub 和 源,
各自. 看 应用 便条 826,
推荐 最小
垫子 Patterns 和 外形 进入 为 vishay siliconix
场效应晶体管
s (http://www.vishay.com/doc?72286), 为 这
推荐 pcb 布局 dimensional 详细信息 的 这 垫子 模式.
修改-部分 库 symbols 为 图式 标识 和 pcb
布局 是 有 在 这 “protel” (pcb 设计 软件)
platform. 为 软 copy, 请 联系 vishay siliconix 在 santa
clara, calif., 在 这 联合的 states, 用 phoning 1-408-567-8927.
这 principle behind 这 电流-感觉到 特性
这 大多数 效率高的 方法 至 sense 这 流-源 电流 是 至
使用 这 比率-metric 度量. 在 一个 电源 场效应晶体管, 它 是
可能 至 执行 这个 方法 容易地.
这 cell 密度, 一个 favored 期 在里面 这 电源 场效应晶体管
工业, conveys 那 这 电源 场效应晶体管 结构 组成
的 许多 cells 连接 在 并行的. 在 principle, 这些 cells
组成 一个resistive path 为 流-源电流. 用电气,
这些 cells 是 并行的 连接 电阻器,
r
ds(在)
s
. 各自 cell
- 正在 完全同样的 在 结构 和 电的 特性 -
shares这 电流 equally 当 这 设备 是 在. 这个 所有物
使能 设计 的 一个场效应晶体管 和 一个 电流-感觉到特性.
Dividing这 场效应晶体管 cells 在 一个 知道 比率 creates 二 paths
那 share 这 流-源 电流. 这 path 和 这 小
号码 的 cells constitutes 这 sense 电流, 这个 是 更
小 比 这 电流 组织 通过 这 rest 的 这
cells. 一个 非常 简单的, 低-电源, 外部 电路 能 measure
这个 电流. 乘以 这个 值 和 这 cell 比率 给 这
总的 流-源 电流.
这 classic kelvin 末端 为 这 返回 的 sense 电流
至 这 主要的 源 连接 insures 这 度量
精度. 这个 终端 不 仅有的 排除 这 地面 循环,
但是 也 降低 这 imbalance 的 内部的 结构 和
二 电流 paths.
这 电流-感觉到 参数, 表格 1, 和 这
电流-sense 消逝 特性 和 图式, 图示 2,
帮助 至 demonstrate 这 电流-感觉到 运作 和 电路
implementation.
表格 1: 电流Sense特性
电流感觉到 比率 r I
D
= 1 一个, v
GSS
= 10 v, r
SENSE
= 1.1
420 520 620
mirror 起作用的 阻抗 r
m(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 10 毫安 3.5
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