特点
d
TrenchFET
右
电源 场效应晶体管
d
175
_
c 最大值 接合点 温度
d
高效率 pwm 优化
应用程序
d
汽车 这样的 作为:
-- 高侧 开关
-- m o t o 右 d 右 我 v e? s
-- 42-v 蓄电池
Si4992EY
vishay Siliconix
新建 产品
文件 号码: 73082
s-41640—rev. 一个, 06-9月-04
www.vishay.com
1
双 n通道 75-v (d-s) 场效应晶体管
产品 摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
Ω
) 我
d
(一个)
75
0.048 @ v
gs
=10V 4.8
75
0.062 @ v
gs
=4.5v 4.2
所以-8
s
1
d
1
g
1
d
1
s
2
d
2
g
2
d
2
5
6
7
8
至p 六e?w
2
3
4
1
d
1
g
1
s
1
n通道 场效应晶体管
订购 信息: Si4992EY—E3
si4992ey-t1—e3 (与 胶带 和 卷轴)
d
2
g
2
s
2
n通道 场效应晶体管
绝对 最大值 额定值 (t
一个
=25
_
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
75
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流 (t
j
= 175
_
c)
一个
t
一个
=25
_
c
我
d
4.8 3.6
连续 排水管 电流 (t
j
= 175
_
c)
一个
t
一个
=85
_
c
我
d
3.7 2.8
连续 来源 电流
一个
我
s
2 1.1
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
20
雪崩 电流
l = 0 1 mh
我
作为
8
单独 雪崩 能源 (职责 循环
≤
1%)
l=0.1mh
e?
作为
3.2 mJ
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
=25
_
c
p
d
2.4 1.4
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
=85
_
c
p
d
1.4 0.8
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
,t
stg
--55 至 175
_
c
热 电阻 额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
m 我 j ti t 一个 bi t
一个
t
≤
10 秒
右
50 62.5
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
85 110
_
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
31 37
c/
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” FR4 板.
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