Si9400DY
vishay siliconix
文件 号码: 70119
s-55458—rev. k, 02-3月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
1
p沟道 20-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
–20
0.25 @ v
gs
= –10 v
2.5
–20
0.40 @ v
gs
= –4.5 v
2.0
nc d
s
d
sd
g
d
所以-8
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
ss
g
dddd
p沟道 场效应晶体管
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
–20
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
2.5
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
2.0
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
10
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–2.0
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
2.5
wmaximum 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.6
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 限制 单位
最大值 交叉点到环境
一个
右
thja
50
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 全球 web: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
: 点此下载
