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记忆
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4 兆位 (512k x 8-有点) sram
32C408B
©2002 maxwell 技术
全部 权利 保留.
05.02.02 rev 7
f
性质
:
• 512k x 8-有点 cmos 体系结构
•R
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-p
ak
® 技术 硬化 反对 天然 空间 radi-
位置
• 合计 剂量 硬度:
- > 100 克拉 (si), 取决于 在 空间 任务
• 单独 事件 效果:
- 选择
th
: >68 mev/毫克/厘米
2
- seu
th
: &指示灯; 3mev/毫克/厘米
2
- seu 饱和 十字形 截面: 6e-9 厘米
2
/有点
• 包装:
-36 管脚 右
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-p
ak
® 扁平 空调组件
• 快 传播 时间:
-20, 25, 30 ns 最大值 访问权限 时间
• 单独 5v +
10% 电源 供应
• 低 电源 耗散:
- 备用: 60ma (ttl); 10ma (cmos)
- 操作: 180 ma (20 ns); 170 ma (25 ns); 160 ma (30
ns)
• ttl 兼容 输入 和 产出
• 完全 静态 操作
- 否 时钟 或 刷新 必填项
• 三个 州 产出
d
ESCRIPTION
:
maxwell 技术’ 32c408b 高速 4 兆位 sram
微电路 特点 一个 更大 比 100 克拉 (si) 合计 剂量
公差, 取决于 在 空间 任务. 使用 右
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ak
®
包装 技术, 这 32c408b 实现 较高 密度,
较高 业绩 和 下部 电源 消费, 和 是 井
适合 用于 高速 系统 应用程序. 其 完全 静态 设计
消除 这 需要 用于 外部 时钟, 同时 这 cmos cir-
cuitry 减少 电源 consum消费 和 提供 较高 reli-
能力. 这 32c408b 是 配备 与 八 普通 输入/
输出 线条, 芯片 选择 和 输出 启用, 允许 用于
更大 系统 灵活性 和 消除 总线 争用.
maxwell 技术' 专利 右
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ak
包装 技术-
ogy 包含 辐射 屏蔽 入点 这 微电路 空调组件-
年龄. 入点 一个 geo 影响范围, 右
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ak
可以 提供 真 更大 比
100 克拉 (si) 合计 辐射 剂量 公差; 从属 在
空间 任务. 这 专利 辐射-硬化 右
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ak
技术 包含 辐射 屏蔽 入点 这 微电路
包装. 它 消除 这 需要 用于 框 屏蔽 同时 提供-
ing 这 必填项 辐射 屏蔽 用于 一个 使用寿命 入点 影响范围 或 一个
空间 任务. 这个 产品 是可用 与 包装 和
筛选 向上 至 类 s.
nc
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A10
我/o5
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1 36
18 19
行
解码器
输入
数据
控制
记忆 矩阵
1024 行 x 4096 列
色谱柱 我/o
色谱柱 解码器
cs
A13
A0A1A3
DQ0
DQ7
DQ0
DQ7
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逻辑 图表
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