特性
直接 替换 为siliconix j/sst111 序列
低 门 泄漏 电流 5pA
快 切换 4ns
绝对 最大 比率
1
@ 25 °c (除非 否则 陈述)
最大 温度
存储 温度 -55 至 150°c
接合面 运行 温度 -55 至 135°c
最大 电源消耗
持续的 电源 消耗 (j) 360mW
持续的 电源 消耗 (sst) 350mW
最大 电流
门 电流 50mA
最大 电压
门 至 流 -35v
门 至 源 -35v
静态的 电的 特性 @25 °c (除非 否则 陈述)
j/sst111 j/sst112 j/sst113
sym. 典型的 典型值
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 情况
BV
GSS
门 至 源 损坏 电压 -35 -35 -35 I
G
= -1µa, v
DS
= 0v
V
gs(止)
门 至 源 截止 voltage -3 -10 -1 -5 -3 V
DS
= 5v, i
D
= 1µa
V
gs(f)
门 至 源 向前 电压 0.7
V
I
G
= 1ma, v
DS
= 0v
I
DSS
流 至 源饱和 电流
2
20 5 2 毫安 v
DS
= 15v, v
GS
= 0v
I
GSS
门 泄漏 电流 -0.005 -1 -1 -1 na v
GS
= -15v, v
DS
= 0v
I
G
门 运行 电流 -5 pa v
DG
= 15v, i
D
= 10ma
I
d(止)
流 截止 电流 0.005 1 1 1 na v
DS
= 5v, v
GS
= -10v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗 30 50 100
Ω
I
G
= 1ma, v
DS
= 0v
j 序列
至-92
bottom 视图
123
DSG
至 92
sst 序列
1
2
3
sot-23
顶 视图
D
G
S
直线的 整体的 系统s
j/sst111 序列
单独的 n-频道 jfet
直线的 整体的 系统s
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