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资料编号:424790
 
资料名称:MJE2955T
 
文件大小: 64.71K
   
说明
 
介绍:
SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mje2955t pnp 平面 硅 晶体管
音频 电源 放大器
直流 至 直流 变频器
至-220
!
高 电流 能力
!
高 电源 耗散
!
互补 至 mje3055t
绝对 最大值 评级 (t
一个
=25
℃℃
)
特性 符号 评级 单位
收集器-底座 电压
集电极-发射极 电压
收集器 电流 (直流)
接合点 温度
存储 温度
v
CBO
v
CEO
v
EBO
c
p
c
t
j
Tstg
-60
-60
-6
-10
75
150
-55~150
v
v
v
一个
w
℃℃
℃℃
电气 特性 (t
一个
=25
℃℃
)
特性 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 底座 击穿 电压
收集器 发射器 击穿 电压
发射器 底座 击穿 电压
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
直流 电流 增益
收集器- 发射器 饱和度 电压
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
CBO
EBO
h
v
ce(sat)
c
=-5 ma 我
e?
=0
c
=-10 ma 右
=
e?
=-5ma 我
c
=0
v
cb
=-60v 我
e?
=0
v
eb
=-4v 我
c
=0
v
ce
=-5v 我
c
=-4a
c
=-4a 我
B
=-0.4a
-120
-120
-6
20
-0.1
-0.1
-1.1
v
v
v
ma
ma
v
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