k4m563233e - m(e?)e?/n/g/c/l/f
二月 2004
移动电话-sdram
• 3.0v &放大器; 3.3v 电源 供应.
• lvcmos 兼容 与 多路复用 地址.
• 四 银行 操作.
• mrs 循环 与 地址 钥匙 程序.
-. cas 延迟 (1, 2 &放大器; 3).
-. 突发 长度 (1, 2, 4, 8 & 已满 page).
-. 突发 类型 (顺序 &放大器; 交错).
• emrs 循环 与 地址 钥匙 程序.
• 全部 输入 是 抽样 在 这 正 继续 边缘 的 这 系统
时钟.
• 突发 阅读 单位 写 操作.
• 特殊 功能 支持.
-. pasr (部分 阵列 自我 刷新).
-. 内部 tcsr (温度 已补偿 自我 刷新)
• dqm 用于 掩蔽.
• 自动 刷新.
• 64ms 刷新 期间 (4k 循环).
• 商业 温度 操作 (-25
°
c ~ 70
°
c).
• 扩展 温度 操作 (-25
°
c ~ 85
°
c).
• 2chips ddp 90balls fbga 与 0.8mm 球 变桨
( -mxxx : 含铅, -exxx : 铅 免费).
特点
这 k4m563233e 是 268,435,456 比特 同步 高 数据
费率 动态 ram 有组织的 作为 4 x 2,097,152 字词 由 32 比特,
预制 与 samsung’s 高 业绩 cmos 技术-
ogy. 同步 设计 允许 精确 循环 控制 与 这
使用 的 系统 时钟 和 我/o transactions 是 位置sible 开启 每
时钟 循环. 范围 的 操作 频率, 可编程
突发 长度 和 可编程 延迟 允许 这 相同
设备 至 是 有用的 用于 一个 品种 的 高 带宽 和 高 按-
绩效 记忆 sy阀杆 应用程序.
概述 描述
订购 信息
- m(e?)e?/n/g : 正常 / 低 / 低 电源, 扩展 温度(-25
°
c ~ 85
°
c)
- m(e?)c/l/f : 正常 / 低 / 低 电源, 商业 温度(-25
°
c ~ 70
°
c)
备注 :
1. 入点 案例 的 40mhz 频率, cl1 可以 是 支持.
2. samsung 应 不 报价 用于 销售 或 出售 要么 直接 或通过 和 第三方 proxy, 和 dram 记忆 产品 那 股份有限公司lude "多-模具 塑料
dram" 用于 使用 作为 组件 入点 概述 和 scientific 计算机ers 这样的 作为, 由 方式 的 示例, mainframes, 服务器, 工作 统计离子 或 书桌 顶部
计算机 用于 这 第一 三个 年 的 五个 年份 期限 的这个 许可证. 没什么 此处 限制 这 权利 的 samsung 至 使用 multi-模具 塑料 dram 入点 其他
产品 或 其他 应用程序 下 paragrangh 这样的 作为 mobile, 电信 或 非-计算机 应用程序(哪个 包括 由 方式 of 示例 笔记本电脑 或
笔记本 计算机, 细胞 电话, televisions 或 目视检查 显示器)
违反 将 主题 这 客户 至 法律 索赔 和也 不包括 任何 保修 反对 侵权 从 samsung."
3. samsung 是 不 设计 或 已制造 fo右 使用 入点 一个 设备 或 系统 那 是 美国ed 下 情况 入点 哪个 人类 生活 我s 潜在的 在 桩.
请 联系人 至 这 记忆 市场营销 team 入点 samsung el电子 当 考虑 这 使用 的 一个 产品 包含 此处用于 任何 具体
目的, 这样的 作为 医疗, 航空航天, 核, military, 车辆 或 海底 中继器 use.
零件 否. 最大值 频率. 接口 包装
k4m563233e-m(e?)e?/n/g/c/l/f75 133mhz(cl=3)
lvcm操作系统
90 fbga
含铅 (铅 免费)
k4m563233e-m(e?)e?/n/g/c/l/f80 125mhz(cl=3)
k4m563233e-m(e?)e?/n/g/c/l/f1h 105mhz(cl=2)
k4m563233e-m(e?)e?/n/g/c/l/f1l
105mhz(cl=3)
*1
2m x 32bit x 4 银行 移动电话 sdram 入点 90fbga
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