©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, 8月 2001
KSC1008
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
一个
=25
°
c
除非 否则 已注明
h
铁
分类
符号 参数 额定值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 80 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 60 v
v
EBO
发射器-底座 电压 8 v
我
c
收集器 电流 700 ma
p
c
收集器 电源 耗散 800 mW
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 -55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
=100
µ
一个, 我
e?
=0 80 v
BV
CEO
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
=10ma, 我
B
=0 60 v
BV
EBO
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
=10
µ
一个, 我
c
=0 8 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
=60v, 我
e?
=0 0.1
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
=5v, 我
c
=0 0.1
µ
一个
h
铁
直流 电流 增益 v
ce
=2v, 我
c
=50mA 40 400
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
=500ma, 我
B
=50mA 0.2 0.4 v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
=500ma, 我
B
=50ma 0.86 1.1 v
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
=10v, 我
c
=50mA 30 50 MHz
c
ob
输出 电容 v
cb
=10v, 我
e?
=0, f=1mhz 8 pf
分类 右 o y g
h
铁
40 ~ 80 70 ~ 140 120 ~ 240 200 ~ 400
KSC1008
低 频率 放大器 中 速度
开关
• 补码 至 ksa708
• 高 收集器-底座 电压 : v
CBO
=80V
• 收集器 电流 : 我
c
=700mA
• 收集器 电源 耗散 : p
c
=800mW
• 后缀 “-c” 手段 中心 收集器 (1. 发射器 2. 收集器 3. base)
1. 发射器 2. 底座 3. 收集器
至-92
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